Назад                 

Устные доклады

 

1. Физические явления в материалах СВЧ микроэлектроники

 

Дата и время

Доклад

У1-01

5 июня 11-15
Секц.

"Реализация гиперболических сред с помощью искусственных длинных линий"

А.В. Щелокова1, П.В. Капитанова1, А.Н. Поддубный1,2, П.А. Белов1,3, Ю.С. Кившар1,4


1.Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

2. Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе
3. QueenMaryUniversityofLondon
4. Australian National University

 

У1-02

5 июня 11-35

"О закономерностях отражения и преломления волн в анизотропных средах и структурах"

А.В. Вашковский, Э.Г. Локк

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

 

У1-03

5 июня 11-50

"Об угловой ширине дифракционного луча в анизотропных средах"

Э.Г. Локк

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники  им. В.А. Котельникова РАН

 

У1-04

5 июня 12-05

"Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия"

А.И. Михайлов, А.В. Митин, И.О. Кожевников

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

 

У1-05

5 июня 12-20

"Поперечный пространственный перенос электронов и особенности рассеяния тепла в гетероструктурных полевых транзисторах"

А.А. Капралова, А.Б. Пашковский

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У1-06

5 июня 12-35

"Рассеяние магнистостатических волн на дефектах поверхности ферромагнитной пленки, намагниченной под произвольным углом"

П.Е. Тимошенко, В.Н. Иванов, Р.К. Бабичев

Южный федеральный университет

 




2. Материалы СВЧ микроэлектроники и методы их получения

 

Дата и время

Доклад

У2-01

5 июня 14-00

Секц.

"Эпитаксиальные структуры иттриевых феррит-гранатов для СВЧ-техники и висмутсодержащих феррит-гранатов для прикладной магнитооптики"

М.Ю. Гусев, Н.С. Неустроев, В.А. Котов

ЗАО "НИИ Материаловедения"

 

У2-02

5 июня 14-20

"Оптически управляемые магнитные метаматериалы"

П.В. Капитанова1, С.И. Масловский1, И.В. Шадривов1,2, П.М. Ворошилов1, Д.С. Филонов1, П.А. Белов1,3, Ю.С. Кившарь1,2


1 Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

2 Australian National University
3 Queen Mary University of London

 

У2-03

5 июня 14-35

"Создание комбинированных подложек монокристаллического и поликристаллического CVD-алмаза и их тиражирование для электронной техники"

А. Л. Вихарев1, А.М. Горбачев1, А.Б. Мучников1, О.Ю. Кудряшов2, И.А. Леонтьев2, М.П. Духновский3, А.К. Ратникова3, Ю.Ю. Федоров3


1 Институт прикладной физики РАН

2 ООО "ТВИНН"
3 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У2-04

5 июня 14-50

"Исследование и создание наногетероструктур на основе GaN для миллиметрового диапазона"

Е.Ю. Днестранская1, А.М. Емельянов1, К.В Дудинов1, В.Г. Тихомиров2, Ю.В. Федоров3


1 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН

 

У2-05

5 июня 15-05

"Управляемые слоистые феррит-сегнетоэлектрические структуры для микро- и наноэлектроники терагерцового диапазона частот"

Н.Ю. Григорьева, Р.А. Султанов, Б.А. Калиникос

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У2-06

5 июня 15-20

"Перестраиваемые терагерцовые метаматериалы на основе кубических диэлектрических резонаторов с металлической полоской с управляемой электрической длиной"

Д.С. Козлов, М.А. Одит, И.Б. Вендик

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

 

3.   Элементы, приборы и устройства СВЧ микроэлектроники

 

Дата и время

Доклад

У3-01 

5 июня 11-15

"Многофункциональная МИС с малым энергопотреблением на основе 2-х уровневых pHEMT для перспективных модулей АФАР"

Ф.Е. Щербаков, Ю.М. Богданов, К.В. Дудинов, В.Е. Земляков, В.А. Красник, В.Г. Лапин, К.И. Петров

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У3-02 

5 июня 11-30

"Мощный полевой транзистор на гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием"

В.М. Лукашин1, А.Б. Пашковский1, К.С. Журавлев2, А.И. Торопов2, В.Г. Лапин1


1 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН

 

У3-03 

5 июня 11-45

"Лабораторная технология изготовления акустоэлектронных SMR-BAW резонаторов в диапазоне до 6.5 ГГц на основе гетероэпитаксиальных структур AlN/GaN/Si(111) "

А.П. Сидорин, А.В. Беляев, М.Ю. Двоешерстов, С.Е. Коршунов

ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"

 

У3-04 

5 июня 12-00

"Термокомпенсированный  СВЧ тонкопленочный акустоэлектронный SMR-BAW резонатор"

М.Ю. Двоешерстов, В.И. Чередник

ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"

 

У3-05 

5 июня 12-15

"Оптимизация технологии изготовления МИС СВЧ ограничителей мощности на арсениде галлия для модулей АФАР"

Д.В. Кантюк, Н.О. Волнянский, Н.Н. Никульченко, А.В. Толстолуцкая, С.И. Толстолуцкий

ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"

 

У3-06 

5 июня 12-30

"Твердотельный двухканальный переключатель Ка-диапазона на арсениде галлия"

П.А. Повороженко, А.И. Ли, С.И. Толстолуцкий, В.В. Казачков, А.А. Фролова

ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"

У3-07 

5 июня 14-00

"МИС широкополосного усилителя на pHEMT-структуре для диапазона 2,5-6,0 ГГц"

С.В. Безус, С.И. Толстолуцкий, А.В. Толстолуцкая, Д.И. Иващенко

ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"

 

У3-08 

5 июня 14-15

"Генератор хаотического СВЧ сигнала на основе ферромагнитной пленки в условиях трехмагнонных процессов распада"

Д.В. Романенко, С.В. Гришин, Ю.П. Шараевский

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского

 

У3-09 

5 июня 14-30

"Элемент управления линейной поляризацией для ФАР"

С.В. Сковородников1, А.Б. Гуськов1, А.И. Шарафеев2, В.А. Степанов2


1 ОАО "Завод Магнетон"

2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У3-10 

5 июня 14-45

"Перестраиваемый СВЧ фильтр на объемных акустических волнах"

А.К. Михайлов, С.В. Пташник, С.В. Зиновьев, А.Б. Козырев

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У3-11 

5 июня 15-00

"Высокоточный аналоговый фазовращатель для полуактивной ФАР"

А.И.Задорожный1,2, О.Г.Вендик1, М.Д.Парнес2, С.К.Тихонов2


1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

2 ООО "Резонанс"

 

У3-12 

5 июня 15-15

"СВЧ/ТГЦ структуры и компоненты высокой мощности для применений в физике ускорителей"

И.Л. Шейнман, А.М. Альтмарк, C.C. Батурин, А.Д. Канарейкин

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У3-13 

6 июня 9-00

"Широкополосные СВЧ-устройства с использованием нефостеровских отрицательных индуктивных и емкостных элементов"

Д.В. Холодняк

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У3-14 

6 июня 9-15

"Планарные линии передачи на основе нанокомпозитных сегнетоэлектрических пленок"

А.А. Иванов, И.Г. Мироненко, А.А. Семенов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У3-15 

6 июня 9-30

"Многоканальный приемник миллиметрового диапазона с разделением каналов по радиочастоте"

В.Н. Радзиховский1, С.Е. Кузьмин1, В.Б. Хайкин2


1 Институт электроники и связи НАН

2 Санкт-Петербургский филиал Специальной астрофизической обсерватории РАН

 

У3-16 

6 июня 9-45

"GaAs МИС буферного усилителя Х-диапазона"

А.А. Баров, В.С. Арыков

ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"

 

У3-17 

6 июня 10-00

"Серия GaAs МИС широкополосных преобразователей частоты"

В.С. Арыков1, А.А. Баров2, А.В. Кондратенко2, Д.С. Хохол1


1 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

2 ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"

 

У3-18 

7 июня 9-30

Секц.

"Базовые пассивные элементы для приёмо-передающих модулей АФАР на основе SIW-волноводов, выполненные по технологии низкотемпературной совместнообжигаемой керамики"

М.В. Соловьев, В.М. Новиков, Л.С. Величко, Г.Н. Егоров

ФГУП "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи"

 

У3-19 

7 июня 9-50

"GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона"

А. В. Кондратенко, А.А. Баров, В.С. Арыков

ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"

 

У3-20 

7 июня 10-05

"GaAs МИС усилителя распределенного усиления"

В.С. Арыков1, В.Д. Дмитриев2, В.М. Коротаев1, Д.А.Шишкин1


1 ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран"

2 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

 

У3-21 

7 июня 10-20

"СВЧ измерительный блок для исследования параметров атомно-лучевых трубок"

А.В. Хромов, А.С. Котов, С.М. Захаров, С.А. Плешанов, Н.И. Левашов, Е.А. Кулачек

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У3-22 

7 июня 10-35

"Исследование стойкости малошумящих усилителей на GaAs и GaN pHEMT транзисторах к воздействию входной СВЧ мощности"

А.В. Крутов, А.С. Ребров

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У3-23

7 июня 11-15

"О возможностях измерений характеристик мощных СВЧ транзисторов на пластине"

А.В. Галдецкий, А.А. Воробьевв

ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У3-24

7 июня 11-30

"Спин-волновой нелинейный направленный ответвитель"

А.Б. Устинов1, Б.А. Калиникос1, В.Ю. Мякиньков2, Ю.Б. Рудый2


1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

2 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У3-25

7 июня 11-45

"Определение шумовых параметров транзистора методом эквивалентных схем на основе измерения S-матрицы и выходной мощности шума"

В.И. Васильев1, В.И Алексеенков2, А.К. Балыко1, А.В. Верещагин2, А.Ф. Рукавицын2, М.А.Ушаков2


1 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

2 Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

 

У3-26

7 июня 12-00

"Миниатюрный многокристальный внутрисогласованный усилитель мощности"

И.В. Семейкин, С.В. Грищенко, В.А. Кожевников, П.Л. Куршев

ФГУП "Научно-исследовательский институт электронной техники"

 

У3-27

7 июня 12-15

"Разработка МИС смесителя миллиметрового диапазона"

М.Е. Белкин, Л.М. Белкин

Московский государственный технический университет

радиотехники, электроники и автоматики

 

 

4.   Моделирование элементов, приборов и устройств СВЧ микроэлектроники

 

Дата и время

Доклад

У4-01

6 июня 10-45

Секц.

"Усовершенствованные методы численного моделирования высокочастотных электромагнитных полей"

А.Д. Григорьев

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У4-02

6 июня 11-05

"Рассеяние оптического излучения в лазерном гироскопе поверхностью зеркал с наноразмерной шероховатостью"

А.Е. Серебряков, В.К. Федяев, М.В. Чиркин, А.В. Юткина

Рязанский государственный радиотехнический университет

 

У4-03

6 июня 11-20

"Численное моделирование и экспериментальное исследование влияния физико-топологических и технологических особенностей затворной области на характеристики полевых СВЧ-транзисторов для МИС модулей АФАР"

В.Г.Тихомиров1,2, Н.А.Малеев2, А.Г.Кузьменков2, Ю.В.Соловьев2, А.Г.Гладышев2, М.М.Кулагина2, В.Е.Земляков4, К.В.Дудинов4, А.Ю.Егоров3, В.Б.Янкевич1, В.М.Устинов2

1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
3 Учреждение Российской академии наук Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН
4 ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток"

 

У4-04

6 июня 11-35

"Численное моделирование устройств сверхпроводниковой электроники"

Н.В. Колотинский1, В.К. Корнев1, И.И. Соловьев2, Н.В. Кленов1, А.В. Шарафиев1

1 МГУ имени М.В. Ломоносова

2 НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В. Ломоносова

 

У4-05

7 июня 09-30

"Параллельные методы и технологии моделирования электродинамических полей"

Д.С.Бутюгин1,2, В.П.Ильин1,2

1 Институт вычислительной математики и математической геофизики Сибирского отделения РАН

2 Новосибирский государственный университет

 

У4-06 

7 июня 09-45

"Моделирование конструкций гибридных интегральных схем частотных фильтров на основе низкотемпературной керамики с применением тонкопленочной технологии"

Е.Г. Абрамова

ОАО "Омский научно-исследовательский институт приборостроения"

 

У4-07 

7 июня 10-00

"Конечно-элементное моделирование и электрическое согласование тонкопленочного пьезоэлектрического преобразователя гиперзвуковой линии задержки"

В. П. Пащенко1,2, А.Ю. Шимко2

1 Санкт-Петербургский государственный Политехнический университет

2 ОАО "Авангард"

 

У4-08 

7 июня 10-15

"Исследование и создание нелинейных моделей транзисторов сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн на основе наногетероструктур арсенида галлия и нитрида галлия"

А.Ю. Городецкий, Е.Ю. Днестранская, А.М. Емельянов, К.В Дудинов

ФГУП "Научно-производственное предприятие"Исток"

 

 

5.    Антенны и фазированные антенные решетки

 

Дата и время

Доклад

У5-01 

6 июня 09-00

Секц.

"Основные направления модернизации пассивных ФАР зенитно-ракетных комплексов средней и малой дальности"

А.Е. Чалых

ОАО "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В.Тихомирова"

 

У5-02 

6 июня 09-20

"Особенности построения ФАР зенитно-ракетного комплекса “БУК” (DVD 15 мин)"

А.Е. Чалых

ОАО "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В.Тихомирова"

 

У5-03 

6 июня 09-35

"Моделирование сканирующей гибридной зеркальной антенны с малым шагом перемещения луча"

А.Н. Пластиков, Н.М. Фейзулла

ОАО "Особое конструкторское бюро Московского энергетического института"

 

У5-04 

6 июня 09-50

"Сверхпроводящие активные электрически малые антенны"

В.К. Корнев1, И.И. Соловьев2, А.В. Шарафиев1, Н.В. Кленов1

1 МГУ имени М. В. Ломоносова

2 НИИ ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, МГУ имени М.В.Ломоносова

 

У5-05 

6 июня 10-45

"Адаптивная фазированная антенная решетка с зоной подавления в диаграмме направленности в направлении помехи"

О.Г. Вендик, Д.С. Козлов

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)

 

У5-06 

6 июня 11-00

"Анализ ФАР миллиметрового диапазона с распределительной системой на радиальном волноводе"

М.Б. Мануилов, П.Ю. Деркачев, Н.С. Кондрашова

ФГУП "Ростовский НИИ радиосвязи"

 

У5-07 

6 июня 11-15

"Линза из неоднородного диэлектрика"

А.М. Александрин, Ю.П. Саломатов

Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ




6.    Измерения на СВЧ

 

Дата и время

Доклад

У6-01 

6 июня 11-30

"Экспериментальные измерения параметров SMR-BAW резонаторов"

М.Ю. Двоешерстов, Д.В. Жуков, С.Е. Коршунов

ОАО "Конструкторское Бюро "Икар"