№ |
Дата
и время |
Доклад |
1 |
04.06
9:30 |
Установка Изофаз ТМ 200-01 для
термического и плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения Al2O3
Одиноков В.В., Панин В.В., Баисов Б.Т., Зассеев
Я.Г.
|
2 |
04.06
9:45 |
Состояние и перспективы развития
интегральных схем программно-конфигурируемых радиочастотных
приемопередатчиков
Савченко Е.М., Будяков А.С., Гаранович Д.И., Огурцова К.М.
|
3 |
04.06
10:00 |
Синтез модели полевых транзисторов
с барьером Шоттки в диапазоне сверхвысоких частот
Лыпкань В.Н., Васильев Н.А., Лобазов В.Ю., Атанов
Е.А. |
4 |
04.06
10:15 |
Синтез цифрового адаптивного
фильтра-корректора для сигналов, распространяющихся в средах с
частотной дисперсией фазовой скорости
Кальщиков А.А.
|
5 |
04.06
10:30 |
Интегральные схемы СВЧ
широкополосных усилителей в частотных диапазонах от L до Ka на основе
CMOS и BiCMOS технологий
Бабак Л.И., Коколов А.А., Шеерман Ф.И.,
Коряковцев А.С., Конкин Д.А., Добуш И.М.,
Помазанов А.В., Шутов Е.А., Светличный Ю.В.
|
6 |
04.06
10:45 |
Интегральные LC-фильтры нижних
частот по тонкопленочной прецизионной технологии
Солодовникова О.И., Борейко Д.А., Тюменцев
А.И.
|
7 |
04.06
11:15 |
Компенсированный высокоомный буфер
для GaN-HEMT
Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А.,
Земляков В.Е., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Мансуров В.Г.,
Журавлёв К.С.
|
8 |
04.06
11:30 |
Амплитудно-фазовое преобразование
в мощных СВЧ-фотодиодах Шоттки
Чиж А.Л., Микитчук К.Б., Журавлев К.С.,
Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Аксенов М.С.,
Валишева Н.А., Гилинский A.M., Чистохин И.Б.
|
9 |
04.06
11:45 |
Отрицательная дифференциальная
проводимость в широкозонных гетероструктурах, вызванная
пространственным поперечным переносом электронов
Мартынов Я.Б.
|
10 |
04.06
12:00 |
Шумовые параметры серийных
малошумящих транзисторов 3П3102-А,Б,В и 3П3107АН5
Груша А.В., Крутов А.В., Ребров А.С.
|
11 |
04.06
12:15 |
Выходной импульсный сигнал
транзисторного СВЧ усилителя мощности с модуляцией напряжения затвора
Пчелин В.А., Гринберг Д.С., Басманов М.А.,
Калита Д.В.,
Корчагин И.П., Муштайкин Е.В., Щёголев С.А.
|
12 |
04.06
12:30 |
Транзистор на основе
гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN с использованием технологии несплавных
омических контактов
Рогачёв И.А., Мешков О.И., Цацульников А.Ф.,
Лундин В.В., Заварин Е.Е., Вакина Д.А.,
Лаврентьев Д.А., Курочка А.С., Максимов А.С.,
Белов Р.Г., Половинкина В.А.
|
13 |
04.06
12:45 |
Создание библиотеки s2p-моделей
мощных СВЧ транзисторов средствами автоматизированного проектирования
или натурного эксперимента
Евсеев В.И., Крылов А.А., Лупанова Е.А.,
Моругин С.Л., Никулин С.М., Петров В.В.
|